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【学术报道】上海大学查访星教授应邀来校进行学术交流

  • 时间:2021-09-30
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本网讯(物电学院)应物理与电子信息学院邀请,上海大学查访星教授于9月30日来校开展学术交流,并作了题为《InP/InGaAs异质结构的截面扫描隧道显微镜研究》的学术报告。报告会在学院304会议室举行,会议由郑贤锋教授主持,物电学院部分老师和研究生参加了本次报告会。

报告会上,查访星教授简要介绍了InP/InGaAs异质结构器件、APD器件性能优化方案以及扫描隧道显微镜(STM)与界面表征方法(XSTM)。随后,查教授为大家分享了课题组的研究成果,应用截面扫描隧道显微镜测量技术研究了InGaAs/InP异质结构,并基于针尖诱导能带弯曲(TIBB)理论计算分析了InP/InGaAs异质结构截面的STS测量结果,发现了表面态密度(DOSS)参量同STS谱线线形有着密切关联。通过理论模拟与实验比对表明,DOSS作为TIBB模型中的唯像参量对I/V谱上零电流平台起止电压位置有着显著的影响。在TIBB模型中该参量的恰当选取不仅可较准确地解释I/V谱的零电流平台宽度、平台能量起始和终止能量位置等谱线特征量,而且在相当宽的能量范围内计算给出的I/V谱线能非常满意的与实验测量吻合,该模型虽然针对的是InGaAs这一具体材料的STS实验结果的分析,但是所展示的分析方法对于半导体表面或界面的STS数据分析却具有普遍参考意义。报告会结束后,与会的各位老师和同学就自己关心的问题与陶炼研究员展开热烈讨论和详细交流。

报告人简介:

查访星,上海大学物理系教授,博士生导师,博士毕业于德国图宾根大学。研究方向:凝聚态物理/固体电子学方向,研究对象主要为半导体低维与纳米结构的物理及其器件特性的电子和光电子性质研究。采用研究方法包括:低温超高真空扫描隧道显微镜、多维多功能微区光谱等。主持两项国家自然基金面上项目、合作主持一项国家自然基金重点项目、人事部海外留学人员重点项目及参与数项国家基础研究重大研发计划。研究成果大多发表于Phys. Rev.、Appl. Phys. Lett.、Optics Lett.等SCI国际主流学术期刊。

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